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Crean implante cerebral que incrementa la memoria 30%

Como si se tratara de alguna trama alterna en el universo de Ghost in the Shell, un grupo de investigadores han logrado crear un implante cerebral que promete incrementar las capacidades de desempeño de la memoria de quien lo use.

El avance, reportado originalmente por New Scientist, fue creado por científicos de la Universidad del Sur de California, quienes optaron por el nombre pintoresco de “Prótesis de Memoria” para hablar de su creación, consistente en un implante hecho de electrodos, diseñados para colocarse en el cerebro humano.

El dispositivo está destinado a imitar la forma en que los recuerdos se procesan de manera natural, mediante pequeñas descargas eléctricas en el hipocampo, la región del cerebro involucrada en el aprendizaje y la memoria, logrando así un incremento en su desempeño hasta por encima del 30%, según sus pruebas ejecutadas.

Para lograr estos resultados los científicos organizaron un grupo de 20 voluntarios que fueron equipados con electrodos para participar en un juego de memoria con lapsos de 75 segundos entre cada imagen mostrada para recordar.

A partir de estas sesiones los investigadores estudiaron el comportamiento de las neuronas en el cerebro de los sujetos para delimitar qué regiones se activaron al usar la memoria durante las sesiones de juego.

Luego se realizó una segunda sesión donde el implante estimuló esas zonas específicas del cerebro con pequeñas descargas eléctricas que imitaron los patrones normales de actividad cerebral.

Las cifras logradas durante los experimentos llevan a la conclusión de que este tipo de implantes serían de gran ayuda en pacientes con deficiencias en su memoria.

Aunque falta aún mucho para verlo como una realidad cotidiana en lugar de algo más propio de una obra de ciencia ficción.

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Samsung revela detalles de su memoria GDDR6

Samsung, al igual que otras compañías, aprovecho la tarde de ayer para anunciar los productos por los que fueron galardonados en la premiación del CES 2018. La lista incluye nombres como el Galaxy S8, Gear IconX y Galaxy Note 8, pero uno de tantos llama la atención y tiene que ver con la memoria GDDR6.

En un pequeño párrafo Samsung reveló detalles de la siguiente generación de memoria para gráficos. De acuerdo con la empresa, GDDR6 será la memoria más rápida de bajo consumo al procesar imágenes y video a 16 Gbps con un ancho de banda de 64 GB/s y operando a 1.35 voltios.

Comparado con la generación actual de tarjetas de video, GDDR6 es un buen avance. No solo duplica el ancho de banda de algunas tarjetas poderosas, sino que consume menos energía. Samsung apunta que la memoria actual para gráficos utiliza 1.5 voltios ofreciendo 8 Gbps (como la GeForce GTX 1070).

Samsung lanzará oficialmente la memoria GDDR6 durante el 2018, idealmente a principios de año si es que quiere mantenerse en la pelea contra otros fabricantes como Micron o SK Hynix.

La memoria GDDR6 será sucesora de la GDDR5X usada actualmente en GPUs como la GeForce GTX 1080 y 1080 Ti.

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